г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

GBJ1006-F Diodes Incorporated

Артикул
GBJ1006-F
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBJ
Цена
329 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Bridge Rectifiers, Диоды - мостовые выпрямители
files/GBJ1006-F.jpg
-65°C ~ 150°C (TJ)
GBJ1006-FDI,GBJ1006F
4-SIP, GBJ
GBJ
Single Phase
10 A
1.05 V @ 5 A
10 µA @ 600 V
Standard
15
8541.10.0080
-
Tube
Active
Through Hole
GBJ1006
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Affected
EAR99
600 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MM5Z30V
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 30V 200MW SOD523F, Zener Diode 30 V 200 mW ±7% Surface Mount SOD-523F
Подробнее
Артикул: BB640E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323, Varactors Single 30 V Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: 2N5671
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 30 A - 6 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1541-A-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: MJ4502
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 30A TO204, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 30 A 2MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 2N4392
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18, JFET N-Channel 40 V 1.8 W Through Hole TO-206AA (TO-18)
Подробнее