г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

GBJ2010 Diodes Incorporated

Артикул
GBJ2010
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBJ
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Bridge Rectifiers, Диоды - мостовые выпрямители
files/GBJ2010.jpg
-55°C ~ 150°C (TJ)
GBJ2010DI
4-SIP, GBJ
GBJ
Single Phase
20 A
1.05 V @ 10 A
10 µA @ 1000 V
Standard
15
8541.10.0080
-
Tube
Discontinued at Digi-Key
Through Hole
GBJ2010
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
1 kV

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SIR626DP-T1-RE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8, N-Channel 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: XB4BW31B5
Бренд: WEC
Описание: XB4BW31B5,
Подробнее
Артикул: 1N914TR
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 7209-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN STEEL5/16HD X 2., 1/4"-20 Knob Thumb Screw - Drive Steel
Подробнее
Артикул: 1235-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM1/2 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: 2N3506
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN POWER SILICON TRANSISTORS, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 500 mA - 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Подробнее