г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

GBJ3510 MDD

Артикул
GBJ3510
Бренд
MDD
Описание
RECTIFIER BRIDGE 35A 1000V GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBJ
Цена
319 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Bridge Rectifiers, Диоды - мостовые выпрямители
files/GBJ3510.jpg
4-SIP, GBJ
GBJ
Single Phase
35 A
1.05 V @ 17.5 A
10 µA @ 1000 V
REACH Unaffected
Standard
-55°C ~ 150°C (TJ)
500
GBJ351000L350A,3372-GBJ3510
GBJ
Box
Active
Through Hole
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
1 kV

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STTH30R04DY
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 400V 30A TO220AC, Diode Standard 400 V 30A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: C122F1
Бренд: onsemi
Описание: SCR 50V 8A TO220AB, SCR 50 V 8 A Standard Recovery Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MURA140T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A SMA, Diode Standard 400 V 2A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: TIP125
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 60V TO220, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 4MHz Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: CSD18543Q3AT
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON, N-Channel 60 V 12A (Ta), 60A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Подробнее
Артикул: IPD220N06L3GBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3, N-Channel 60 V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее