г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor

Артикул
GC2X10MPS12-247
Бренд
GeneSiC Semiconductor
Описание
SIC DIODE 1200V 20A TO-247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 50A (DC) Through Hole TO-247-3
Цена
1 919 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
files/GC2X10MPS12-247.jpg
GC2X10
Warning Information
No Recovery Time > 500mA (Io)
Silicon Carbide Schottky
1200 V
1.8 V @ 10 A
0 ns
10 µA @ 1200 V
-55°C ~ 175°C
1 Pair Common Cathode
30
1242-1330
SiC Schottky MPS™
Tube
Active
Through Hole
TO-247-3
TO-247-3
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
50A (DC)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MCD162-16IO1
Бренд: IXYS
Описание: MOD THYRISTOR/DIODE 1600V Y4-M6, SCR Module 1.6 kV 300 A Series Connection - SCR/Diode Chassis Mount Y4-M6
Подробнее
Артикул: MJD117G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: MTP50P03HDLG
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB, P-Channel 30 V 50A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRF8736PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: HEXFET POWER MOSFET, N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SLA5212
Бренд: Sanken
Описание: MOSFET 3N/3P-CH 35V 8A 15-SIP, Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 35V 8A - Through Hole 15-ZIP
Подробнее
Артикул: BSC074N15NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3, N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TSON-8-3
Подробнее