г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HERAF807G Taiwan Semiconductor

Артикул
HERAF807G
Бренд
Taiwan Semiconductor
Описание
DIODE GEN PURP 8A 800V IT0-220AC, Diode Standard 800 V 8A (DC) Through Hole ITO-220AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/HERAF807G.jpg
REACH Unaffected
Standard
800 V
8A (DC)
1.7 V @ 8 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
80 ns
10 µA @ 800 V
60pF @ 4V, 1MHz
ITO-220AC
TO-220-2 Full Pack
ROHS3 Compliant
-
Tube
Active
1801-HERAF807G
50
EAR99
8541.10.0080
1 (Unlimited)
Through Hole
-55°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: UPS140/TR7
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE, Diode Schottky 40 V 1A Surface Mount Powermite
Подробнее
Артикул: FDC2612
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6, N-Channel 200 V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее
Артикул: 50R-100-2
Бренд: Littelfuse
Описание: 1-PHASE VOLTAGE MONITOR/ 95-12, Voltage Sensing AC 95 ~ 120VAC
Подробнее
Артикул: TIP147
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 10A TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: MURA110
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA, Diode Standard 100 V 2A Surface Mount SMA (DO-214AC)
Подробнее
Артикул: BC817-16W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее