г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HFA30PB120 VISHAY

Артикул
HFA30PB120
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC, Diode Standard 1200 V 30A Through Hole TO-247AC Modified
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/HFA30PB120.jpg
500
Through Hole
Standard
1200 V
30A
4.1 V @ 30 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
170 ns
40 µA @ 1200 V
-
*HFA30PB120,VS-HFA30PB120,VS-HFA30PB120-ND,VSHFA30PB120,VSHFA30PB120-ND
8541.10.0080
HEXFRED®
Tube
Obsolete
TO-247-2
TO-247AC Modified
HFA30
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
-55°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NTMFS5H600NLT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN, N-Channel 60 V 35A (Ta), 250A (Tc) 3.3W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: NDS335N
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3, N-Channel 20 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MMBT3904VL
Бренд: Nexperia
Описание: MMBT3904/SOT23/TO-236AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30S-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DISCRETE SWITCHES, IGBT
Подробнее
Артикул: PD57018TR-E
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANSISTOR RF POWERSO-10, RF Mosfet LDMOS 28 V 100 mA 945MHz 16.5dB 18W PowerSO-10RF (Formed Lead)
Подробнее
Артикул: SSP1N60A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 600 V 1A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее