г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGT1N40N60A4D onsemi

Артикул
HGT1N40N60A4D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B, IGBT Module - Single 600 V 110 A 298 W Chassis Mount SOT-227B
Цена
6 590 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
110 A
600 V
250 µA
298 W
REACH Unaffected
Standard
Single
-
2.7V @ 15V, 40A
SOT-227B
1 (Unlimited)
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Chassis Mount
SOT-227-4, miniBLOC
EAR99
8541.29.0095
60
HGT1N40
No

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STD40NF03LT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK, N-Channel 30 V 40A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: DE1802
Бренд: Dreyer Electronics
Описание: BREADBOARD CIRCULAR PTH, Breadboard, General Purpose Plated Through Hole (PTH) Pad Per Hole (Round) 0.100" (2.54mm)
Подробнее
Артикул: PM4HS-H-24V
Бренд: Panasonic
Описание: RELAY TIME DELAY 500HRS 5A 250V, On-Delay Time Delay Relay DPDT (2 Form C) 0.1 Sec ~ 500 Hrs Delay 5A @ 250VAC Socketable
Подробнее
Артикул: BZX85C47
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 47V 1W DO204AL, Zener Diode 47 V 1 W ±6% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: TN0620N3-G
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3, N-Channel 200 V 250mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IRGB15B60KDPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT NPT 600 V 31 A 208 W Through Hole TO-220AB
Подробнее