г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGT1S12N60A4DS onsemi

Артикул
HGT1S12N60A4DS
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 54A 167W D2PAK, IGBT - 600 V 54 A 167 W Surface Mount D?PAK (TO-263)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGT1S12N60A4DS.jpg
54 A
600 V
167 W
REACH Unaffected
30 ns
-
2.7V @ 15V, 12A
96 A
55µJ (on), 50µJ (off)
78 nC
17ns/96ns
Standard
D?PAK (TO-263)
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
EAR99
8541.29.0095
800
HGT1S12
ROHS3 Compliant
390V, 12A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX79-C6V8,143
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2, Zener Diode 6.8 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: BYW51-200
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SWITCHING 200V 16A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDMA8878
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET, N-Channel 30 V 9A (Ta), 10A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Подробнее
Артикул: EDS-KIT-1
Бренд: MENDA
Описание: DESOLDERING GUN, Gun, Desoldering - -
Подробнее
Артикул: STTH8L06FP
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP, Diode Standard 600 V 8A Through Hole TO-220FPAC
Подробнее
Артикул: IRFU120Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK, N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее