г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGT1S12N60A4DS onsemi

Артикул
HGT1S12N60A4DS
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 54A 167W D2PAK, IGBT - 600 V 54 A 167 W Surface Mount D?PAK (TO-263)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGT1S12N60A4DS.jpg
54 A
600 V
167 W
REACH Unaffected
30 ns
-
2.7V @ 15V, 12A
96 A
55µJ (on), 50µJ (off)
78 nC
17ns/96ns
Standard
D?PAK (TO-263)
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
EAR99
8541.29.0095
800
HGT1S12
ROHS3 Compliant
390V, 12A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4048
Бренд: Solid State
Описание: DO9 275 AMP SILICON RECTIFIER, Diode Standard 250 V 275A Stud Mount DO-9
Подробнее
Артикул: VS-40EPF12PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC, Diode Standard 1200 V 40A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: M0808-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: METRIC ROUND SPACERPLAIN BRASS16, Round Spacer Unthreaded M8 Brass 0.594" (15.08mm) -
Подробнее
Артикул: STD100N10F7
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N CH 100V 80A DPAK, N-Channel 100 V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: IRFB4410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB, N-Channel 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MMBD5004S-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY GP 350V 300MA SOT23, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 350 V 300mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее