г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTD1N120BNS9A onsemi

Артикул
HGTD1N120BNS9A
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA, IGBT NPT 1200 V 5.3 A 60 W Surface Mount TO-252AA
Цена
289 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTD1N120BNS9A.jpg
Standard
5.3 A
1200 V
60 W
REACH Unaffected
NPT
2.9V @ 15V, 1A
6 A
70µJ (on), 90µJ (off)
14 nC
15ns/67ns
TO-252AA
HGTD1N120BNS9ATR,HGTD1N120BNS9A-ND,HGTD1N120BNS9ACT,HGTD1N120BNS9ADKR
1 (Unlimited)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
EAR99
8541.29.0095
2,500
HGTD1N120
ROHS3 Compliant
960V, 1A, 82Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: HST-05
Бренд: OSEPP Electronics
Описание: HEAT SHRINK KIT 0.093" 100PC, Heat Shrink Kit - Black
Подробнее
Артикул: 2N3792
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A - 5 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: STI33N60M2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK, N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Подробнее
Артикул: IRF7811AVTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: 1516-B-3-B-27
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERELECTRO TIN SO, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: 1394-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее