г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTD7N60C3S Harris

Артикул
HGTD7N60C3S
Бренд
Harris
Описание
600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 14 A 60 W Surface Mount TO-252AA
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
-
TO-252AA
60 W
600 V
14 A
-
-
2V @ 15V, 7A
56 A
-
23 nC
Standard
1
HARHARHGTD7N60C3S,2156-HGTD7N60C3S
Bulk
Active
-40°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FA1014-NP/C/T
Бренд: Lilliput Electronics
Описание: CAP TOUCH SCRN 7" MAX 1920*1080,
Подробнее
Артикул: 1532-E-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: IRG4PF50WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BZV55-C4V7,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS,
Подробнее
Артикул: BC12-4-3-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1/4"X3/16" BELLOWS COUPLING,
Подробнее
Артикул: IRF9632
Бренд: Harris
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET, P-Channel 200 V 5.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее