г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG10N120BND onsemi

Артикул
HGTG10N120BND
Бренд
onsemi
Описание
IGBT NPT 1200V 35A TO247-3, IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Through Hole TO-247-3
Цена
713 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG10N120BND.jpg
Standard
35 A
1200 V
298 W
REACH Unaffected
70 ns
NPT
2.7V @ 15V, 10A
80 A
850µJ (on), 800µJ (off)
100 nC
23ns/165ns
TO-247-3
ONSONSHGTG10N120BND,2156-HGTG10N120BND-OS
-
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
30
HGTG10N120
ROHS3 Compliant
Not Applicable
960V, 10A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: UF4001
Бренд: DComponents
Описание: UF Rect, 50V, 1.00A, 50ns, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-41/DO-204AC
Подробнее
Артикул: IRF3805
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MPQ6700
Бренд: Motorola
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 40V 200mA 200MHz 500mW Through Hole TO-116
Подробнее
Артикул: 1117-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/1, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: MRF1518NT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5, RF Mosfet LDMOS 12.5 V 150 mA 520MHz 13dB 8W PLD-1.5
Подробнее
Артикул: IRFB11N50APBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB, N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее