г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG10N120BND onsemi

Артикул
HGTG10N120BND
Бренд
onsemi
Описание
IGBT NPT 1200V 35A TO247-3, IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Through Hole TO-247-3
Цена
713 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG10N120BND.jpg
Standard
35 A
1200 V
298 W
REACH Unaffected
70 ns
NPT
2.7V @ 15V, 10A
80 A
850µJ (on), 800µJ (off)
100 nC
23ns/165ns
TO-247-3
ONSONSHGTG10N120BND,2156-HGTG10N120BND-OS
-
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
30
HGTG10N120
ROHS3 Compliant
Not Applicable
960V, 10A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: GSIB2540-E3/45
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 400V 3.5A GSIB-5S, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole GSIB-5S
Подробнее
Артикул: P2000G
Бренд: DComponents
Описание: ST Rect, 400V, 20A, Diode Standard 400 V 20A Through Hole P600
Подробнее
Артикул: IPD60R600P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3, N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: RU 3V1
Бренд: Sanken
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1.5A AXIAL, Diode Standard 400 V 1.5A Through Hole -
Подробнее
Артикул: HUF75229P3
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3, N-Channel 50 V 44A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MBR6045WT
Бренд: Littelfuse
Описание: DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO247AD, Diode Schottky 45 V 30A Through Hole TO-247AD
Подробнее