г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG11N120CND onsemi

Артикул
HGTG11N120CND
Бренд
onsemi
Описание
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3, IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Through Hole TO-247-3
Цена
768 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG11N120CND.jpg
Standard
43 A
1200 V
298 W
REACH Unaffected
70 ns
NPT
2.4V @ 15V, 11A
80 A
950µJ (on), 1.3mJ (off)
100 nC
23ns/180ns
TO-247-3
ONSFSCHGTG11N120CND,2156-HGTG11N120CND-OS
-
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
450
HGTG11
ROHS3 Compliant
Not Applicable
960V, 11A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: EPC2105
Бренд: EPC
Описание: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A - Surface Mount Die
Подробнее
Артикул: 1422-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/8 HEX X 2, Hex Spacer Unthreaded - Steel 2.000" (50.80mm) 2" -
Подробнее
Артикул: IPB083N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: STH315N10F7-2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2, N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Подробнее
Артикул: IRFP360PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3, N-Channel 400 V 23A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: MJ11032
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 120V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 50 A - 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее