г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG12N60A4 onsemi

Артикул
HGTG12N60A4
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 54A 167W TO247, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-247-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG12N60A4.jpg
Standard
54 A
600 V
167 W
REACH Unaffected
-
2.7V @ 15V, 12A
96 A
55µJ (on), 50µJ (off)
78 nC
17ns/96ns
TO-247-3
HGTG12N60A4_NL-ND,HGTG12N60A4_NL,HGTG12N60A4-NDR
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
150
HGTG12N60
1 (Unlimited)
390V, 12A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SFAF805G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 8A 400V ITO220AC, Diode Standard 300 V 8A (DC) Through Hole ITO-220AC
Подробнее
Артикул: 1N748A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35, Zener Diode 3.9 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1500-31-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее
Артикул: DCCSB4
Бренд: 3M
Описание: 39 1/5 IN 5 UM COTTON 304SST DOE, Industrial Filter Cartridge 5µm (Nominal)
Подробнее
Артикул: NTE153
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 90V 4A TO220, Bipolar (BJT) Transistor PNP 90 V 4 A 8MHz 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: SPD08P06PGBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3, P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее