г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG20N60B3 Harris

Артикул
HGTG20N60B3
Бренд
Harris
Описание
N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 40 A 165 W Through Hole TO-247
Цена
570 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG20N60B3.jpg
165 W
480V, 20A, 10Ohm, 15V
Standard
40 A
600 V
-
160 A
2V @ 15V, 20A
475µJ (on), 1.05mJ (off)
80 nC
TO-247
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
-40°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
450
2156-HGTG20N60B3-HC,HARHARHGTG20N60B3
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 3065-D
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB KNURLED #10-32 PHENOLIC, Knurled, Straight Knob #10-32 Shaft with No Indicator Phenolic Black
Подробнее
Артикул: GBPC3508W
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: 2N1893
Бренд: Harris
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA - 800 mW Through Hole TO-5
Подробнее
Артикул: 2SD882
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 30V 3A SOT32 TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 3 A 100MHz 12.5 W Through Hole SOT-32 (TO-126)
Подробнее
Артикул: 2N7002E-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3, N-Channel 60 V 250mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 2N6039
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DARL NPN 4A 80V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Подробнее