г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG27N120BN onsemi

Артикул
HGTG27N120BN
Бренд
onsemi
Описание
IGBT NPT 1200V 72A TO247-3, IGBT NPT 1200 V 72 A 500 W Through Hole TO-247-3
Цена
745 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG27N120BN.jpg
Standard
72 A
1200 V
500 W
REACH Unaffected
NPT
2.7V @ 15V, 27A
216 A
2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
270 nC
24ns/195ns
TO-247-3
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
450
HGTG27
ROHS3 Compliant
960V, 27A, 3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPB073N15N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3, N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: BC856AS-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Подробнее
Артикул: BC846BLT3G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 65V 100MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: VMO580-02F
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI, N-Channel 200 V 580A (Tc) - Chassis Mount Y3-Li
Подробнее
Артикул: STB7NK80ZT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK, N-Channel 800 V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 0322-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS3/4HD X, 5/16"-18 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее