г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG30N60B3D onsemi

Артикул
HGTG30N60B3D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 60A TO247-3, IGBT - 600 V 60 A 208 W Through Hole TO-247-3
Цена
653 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG30N60B3D.jpg
Standard
60 A
600 V
208 W
REACH Unaffected
55 ns
-
1.9V @ 15V, 30A
220 A
550µJ (on), 680µJ (off)
170 nC
36ns/137ns
TO-247-3
2156-HGTG30N60B3D-OS,ONSONSHGTG30N60B3D,1990-HGTG30N60B3D
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
450
HGTG30N60
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
480V, 30A, 3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SB772-AZ
Бренд: Renesas
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BSD235CH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V SOT363, Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6-1
Подробнее
Артикул: STD86N3LH5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK, N-Channel 30 V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: 2N3663
Бренд: onsemi
Описание: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3, RF Transistor NPN 12V 50mA 2.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BDX33C
Бренд: Harris
Описание: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1567-B-3-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN ALUMINUM1/, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее