г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG5N120BND onsemi

Артикул
HGTG5N120BND
Бренд
onsemi
Описание
IGBT NPT 1200V 21A TO247-3, IGBT NPT 1200 V 21 A 167 W Through Hole TO-247-3
Цена
555 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG5N120BND.jpg
Standard
21 A
1200 V
167 W
REACH Unaffected
65 ns
NPT
2.7V @ 15V, 5A
40 A
450µJ (on), 390µJ (off)
53 nC
22ns/160ns
TO-247-3
HGTG5N120BND-ND,ONSONSHGTG5N120BND,2156-HGTG5N120BND-OS,HGTG5N120BNDFS
-
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
450
HGTG5N120
ROHS3 Compliant
Not Applicable
960V, 5A, 25Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF7343PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: 1129-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее
Артикул: 1N4004GP
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41, Diode Standard 400 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 1284-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее
Артикул: STF5N52K3
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP, N-Channel 525 V 4.4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: IRFR3504PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 30A DPAK, N-Channel 40 V 30A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее