г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG7N60A4D Harris

Артикул
HGTG7N60A4D
Бренд
Harris
Описание
N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 34 A 125 W Through Hole TO-247
Цена
305 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG7N60A4D.jpg
390V, 7A, 25Ohm, 15V
Standard
34 A
600 V
34 ns
-
56 A
2.7V @ 15V, 7A
55µJ (on), 60µJ (off)
37 nC
125 W
TO-247
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
450
2156-HGTG7N60A4D-HC,HARHARHGTG7N60A4D
11ns/100ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: C6D04065E
Бренд: Wolfspeed
Описание: GEN 6 650V 4 A SBD, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Surface Mount TO-252-2
Подробнее
Артикул: MCR25MG
Бренд: onsemi
Описание: SILICON CONTROLLED RECTIFIER,
Подробнее
Артикул: MSP-60-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 60 MM ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: SPB-48-F
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 3" STEEL SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: B330LA-M3/61T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC, Diode Schottky 30 V 3A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: FDT86244
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4, N-Channel 150 V 2.8A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Подробнее