г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG7N60A4D Harris

Артикул
HGTG7N60A4D
Бренд
Harris
Описание
N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 34 A 125 W Through Hole TO-247
Цена
305 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG7N60A4D.jpg
390V, 7A, 25Ohm, 15V
Standard
34 A
600 V
34 ns
-
56 A
2.7V @ 15V, 7A
55µJ (on), 60µJ (off)
37 nC
125 W
TO-247
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
450
2156-HGTG7N60A4D-HC,HARHARHGTG7N60A4D
11ns/100ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MRF1550FNT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 40V 175MHZ TO272-6, RF Mosfet LDMOS 12.5 V 500 mA 175MHz 14.5dB 50W TO-272-6
Подробнее
Артикул: DCP69-16-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 20V 1A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 20 V 1 A 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: FDB8896
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB, N-Channel 30 V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: BDV65BG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 10A TO247, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 125 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 717-8-M12-CK-ST
Бренд: J.W. Winco
Описание: STEEL INDEXING PLUNGER, Plunger, Ball - 0.31" Dia x 2.80" L (7.87mm x 71.12mm)
Подробнее
Артикул: 1563-A-6-B-15
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERHOT TIN DIPHEX S, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее