г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG7N60A4D onsemi

Артикул
HGTG7N60A4D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 34A 125W TO247, IGBT - 600 V 34 A 125 W Through Hole TO-247-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTG7N60A4D.jpg
Standard
34 A
600 V
125 W
REACH Unaffected
34 ns
-
2.7V @ 15V, 7A
56 A
55µJ (on), 60µJ (off)
37 nC
11ns/100ns
TO-247-3
HGTG7N60A4D_NL-ND,HGTG7N60A4D-NDR,HGTG7N60A4D_NL
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
450
HGTG7N60
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
390V, 7A, 25Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SMMBTA42LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 300V 500MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: 675-BT
Бренд: Panavise
Описание: MULTI MEDIA MNT NO HRDWRE, Mount Black -
Подробнее
Артикул: BCR191
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MM3Z39VST1G
Бренд: onsemi
Описание: 300 MW 39 V 2% ZENER DIODE VOLTA, Zener Diode 39 V 300 mW - Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: DTC143XUAT106
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Подробнее
Артикул: SD103ASDM-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT26, Diode Array 2 Pair Series Connection Schottky 40 V 350mA (DC) Surface Mount SOT-23-6
Подробнее