г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTH20N50C1 Harris

Артикул
HGTH20N50C1
Бренд
Harris
Описание
20A, 500V, N-CHANNEL IGBT, IGBT - 500 V 20 A 100 W Through Hole TO-218 Isolated
Цена
1 083 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
-
100 W
Standard
20 A
500 V
-
-
3.2V @ 20V, 35A
35 A
-
33 nC
TO-218 Isolated
1 (Unlimited)
Vendor Undefined
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
HARHARHGTH20N50C1,2156-HGTH20N50C1
1
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1435-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM1/2 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее
Артикул: 1541-A-3-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: 1N5711W-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD123, RF Diode Schottky - Single 70V 15 mA 333 mW SOD-123
Подробнее
Артикул: 1454-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: GBJ804
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: CE3512K2-C1
Бренд: CEL
Описание: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX, RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X
Подробнее