г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP12N60A4D onsemi

Артикул
HGTP12N60A4D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 54A TO220-3, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-220-3
Цена
525 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP12N60A4D.jpg
Standard
54 A
600 V
167 W
REACH Unaffected
30 ns
-
2.7V @ 15V, 12A
96 A
55µJ (on), 50µJ (off)
78 nC
17ns/96ns
TO-220-3
HGTP12N60A4D-NDR,HGTP12N60A4D_NL-ND,HGTP12N60A4D_NL
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
800
HGTP12N60
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
390V, 12A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDMA1029PZ
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.1A 700mW Surface Mount 7-SOIC
Подробнее
Артикул: 1N4750A
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: DIODE ZENER 27V 1W DO41, Zener Diode 27 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: SISS27DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S, P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Подробнее
Артикул: 1126-8-B-2
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCADMIUM QQ-P-416F-CL, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" Clear
Подробнее
Артикул: IPA60R170CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 8A TO220, N-Channel 650 V 8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IPI80CN10NG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее