г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP12N60A4D onsemi

Артикул
HGTP12N60A4D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 54A TO220-3, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-220-3
Цена
525 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP12N60A4D.jpg
Standard
54 A
600 V
167 W
REACH Unaffected
30 ns
-
2.7V @ 15V, 12A
96 A
55µJ (on), 50µJ (off)
78 nC
17ns/96ns
TO-220-3
HGTP12N60A4D-NDR,HGTP12N60A4D_NL-ND,HGTP12N60A4D_NL
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
800
HGTP12N60
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
390V, 12A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4148TR
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: AON7400
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 10A/26A 8DFN, N-Channel 30 V 10A (Ta), 26A (Tc) 3.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
Подробнее
Артикул: 1N5231B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 5.1 V 1W DO-35, Zener Diode 5.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IXTU01N100
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251, N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Подробнее
Артикул: PDS5100-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERDI5, Diode Schottky 100 V 5A Surface Mount PowerDI™ 5
Подробнее
Артикул: BC557C,112
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее