г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP3N60A4 Harris

Артикул
HGTP3N60A4
Бренд
Harris
Описание
N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 17 A 70 W Through Hole TO-220-3
Цена
222 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP3N60A4.jpg
70 W
390V, 3A, 50Ohm, 15V
Standard
17 A
600 V
-
40 A
2.7V @ 15V, 3A
37µJ (on), 25µJ (off)
21 nC
TO-220-3
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
800
2156-HGTP3N60A4-HC,HARHARHGTP3N60A4
6ns/73ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1210-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.750" (44.45mm) 1 3/4" -
Подробнее
Артикул: IXTP15N50L2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB, N-Channel 500 V 15A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: AM2000
Бренд: DComponents
Описание: ST Rect, 1600V, 1A, Diode Avalanche 1600 V 1A Surface Mount MELF DO-213AB
Подробнее
Артикул: SP-10-ST
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 5/8" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: B2100-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB, Diode Schottky 100 V 2A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: MMRF1013HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ, RF Mosfet LDMOS (Dual) 30 V 100 mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230-4H
Подробнее