г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP3N60A4 onsemi

Артикул
HGTP3N60A4
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 17A 70W TO220AB, IGBT - 600 V 17 A 70 W Through Hole TO-220-3
Цена
773 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP3N60A4.jpg
Standard
17 A
600 V
70 W
REACH Unaffected
-
2.7V @ 15V, 3A
40 A
37µJ (on), 25µJ (off)
21 nC
6ns/73ns
TO-220-3
HGTP3N60A4_NL-ND,HGTP3N60A4_NL,HGTP3N60A4-NDR
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
800
HGTP3N60
ROHS3 Compliant
390V, 3A, 50Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TIP142TTU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: CM600HU-24F
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 600A 2400W, IGBT Module Trench Single 1200 V 600 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SI4838BDY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 12V 34A 8SO, N-Channel 12 V 34A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: BYP35A2
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE STD D13X10.7W 200V 35A, Diode Standard 200 V 35A Through Hole DO-208
Подробнее
Артикул: BSC050N03LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON, N-Channel 30 V 18A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: MJD31CT4-A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A - 15 W Surface Mount DPAK
Подробнее