г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP3N60A4D onsemi

Артикул
HGTP3N60A4D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 17A 70W TO220AB, IGBT - 600 V 17 A 70 W Through Hole TO-220-3
Цена
245 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP3N60A4D.jpg
Standard
17 A
600 V
70 W
REACH Unaffected
29 ns
-
2.7V @ 15V, 3A
40 A
37µJ (on), 25µJ (off)
21 nC
6ns/73ns
TO-220-3
HGTP3N60A4D_NL-ND,HGTP3N60A4D-NDR,HGTP3N60A4D_NL
-
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
800
HGTP3N60
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
390V, 3A, 50Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4471
Бренд: Solid State
Описание: GLASS 1.5 WATT ZENER DIODE, Zener Diode 18 V 1.5 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: STR-632
Бренд: Keystone Electronics
Описание: KIT 6-32 THREADED STANDOFF 400PC,
Подробнее
Артикул: 1502-50-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -
Подробнее
Артикул: SD2902
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113, RF Mosfet N-Channel 28 V 25 mA 400MHz 13.5dB 15W M113
Подробнее
Артикул: 2N3019
Бренд: Microchip Technology
Описание: TRANS NPN 80V 1A TO-5, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A - 800 mW Through Hole TO-5
Подробнее
Артикул: IRL7833S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK, N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее