г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP5N120BND onsemi

Артикул
HGTP5N120BND
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB, IGBT NPT 1200 V 21 A 167 W Through Hole TO-220-3
Цена
282 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP5N120BND.jpg
21 A
1200 V
167 W
REACH Unaffected
65 ns
NPT
2.7V @ 15V, 5A
40 A
450µJ (on), 390µJ (off)
53 nC
22ns/160ns
Standard
TO-220-3
Not Applicable
-
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
800
HGTP5N120
ROHS3 Compliant
960V, 5A, 25Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1112-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: USR-DR302
Бренд: USR IOT
Описание: RS485 TO ETHERNET CONVERTER.,
Подробнее
Артикул: MWS15-5-4-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 5MMX4MM ALUMINUM BEAM CPLNG,
Подробнее
Артикул: BZX79-C10,143
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 10V 400MW ALF2, Zener Diode 10 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: PS11035
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 20A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 30-PowerDIP Module (1.996", 50.70mm)
Подробнее
Артикул: HER108G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 1A DO204AL, Diode Standard 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее