г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP5N120BND onsemi

Артикул
HGTP5N120BND
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB, IGBT NPT 1200 V 21 A 167 W Through Hole TO-220-3
Цена
282 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP5N120BND.jpg
21 A
1200 V
167 W
REACH Unaffected
65 ns
NPT
2.7V @ 15V, 5A
40 A
450µJ (on), 390µJ (off)
53 nC
22ns/160ns
Standard
TO-220-3
Not Applicable
-
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
800
HGTP5N120
ROHS3 Compliant
960V, 5A, 25Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SC-60-F
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 3-3/4" STEEL SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: 6906-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: SHOULDER SCREWPLAIN STEEL1/4HD X, #4-40 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Steel
Подробнее
Артикул: AUIRFS8409-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: MRF174
Бренд: MACOM
Описание: FET RF 65V 150MHZ 211-11, RF Mosfet N-Channel 28 V 2 A 150MHz 11.8dB 125W 211-11, Style 2
Подробнее
Артикул: HGTD7N60C3S
Бренд: Harris
Описание: 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 14 A 60 W Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: IXUC200N055
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS220, N-Channel 55 V 200A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Подробнее