г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP7N60A4 onsemi

Артикул
HGTP7N60A4
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 34A TO220-3, IGBT - 600 V 34 A 125 W Through Hole TO-220-3
Цена
322 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP7N60A4.jpg
Standard
34 A
600 V
125 W
REACH Unaffected
-
2.7V @ 15V, 7A
56 A
55µJ (on), 60µJ (off)
37 nC
11ns/100ns
TO-220-3
HGTP7N60A4_NL-ND,HGTP7N60A4-NDR,HGTP7N60A4_NL
1 (Unlimited)
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
800
HGTP7N60
ROHS3 Compliant
390V, 7A, 25Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPW60R070P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: 1N5229B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 4.3V 500MW, Zener Diode 4.3 V 500 mW ±5% Through Hole
Подробнее
Артикул: SMS230
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: SCHOTTKY MELF 30V 2A, Diode Schottky 30 V 2A Surface Mount MELF DO-213AB
Подробнее
Артикул: BDW83C
Бренд: Central Semiconductor
Описание: POWER TRANSISTOR NPN TO218, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A - 130 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: CL-33-ST
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 2-1/16" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: BAS116,215
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23, Diode Standard 75 V 215mA (DC) Surface Mount TO-236AB
Подробнее