г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP7N60B3D Harris

Артикул
HGTP7N60B3D
Бренд
Harris
Описание
IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL, TO-2, IGBT - 600 V 14 A 60 W Through Hole TO-220AB
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP7N60B3D.jpg
60 W
37 ns
Standard
14 A
600 V
480V, 7A, 50Ohm, 15V
-
2.1V @ 15V, 7A
56 A
160µJ (on), 120µJ (off)
37 nC
TO-220AB
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
HARHARHGTP7N60B3D,2156-HGTP7N60B3D
1
26ns/130ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMBF5457
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 25V 350MW SOT23, JFET N-Channel 25 V 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N5350B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 13V 5W AXIAL, Zener Diode 13 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: FDB44N25TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK, N-Channel 250 V 44A (Tc) 307W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: DTC114E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: STGW40NC60V
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 80A 260W TO247, IGBT - 600 V 80 A 260 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FDMD8560L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Подробнее