г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP7N60B3D onsemi

Артикул
HGTP7N60B3D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 14A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 60 W Through Hole TO-220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP7N60B3D.jpg
14 A
600 V
60 W
REACH Unaffected
37 ns
-
2.1V @ 15V, 7A
56 A
160µJ (on), 120µJ (off)
23 nC
26ns/130ns
Standard
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
400
HGTP7N60
1 (Unlimited)
480V, 7A, 50Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BSP300H6327XUSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4, N-Channel 800 V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRG4PC50FDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 70A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 70 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: WW-240V-4
Бренд: Interlight
Описание: FOR HALCO 107480 2 PACK,
Подробнее
Артикул: PBR941
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: UHF WIDEBAND TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: SMA4033
Бренд: Sanken
Описание: TRANS 4NPN DARL 100V 2A 12-SIP, Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 100V 2A - 4W Through Hole 12-SIP
Подробнее
Артикул: SI1443EDH-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363, P-Channel 30 V 4A (Tc) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Подробнее