г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP7N60B3D onsemi

Артикул
HGTP7N60B3D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 14A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 60 W Through Hole TO-220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/HGTP7N60B3D.jpg
14 A
600 V
60 W
REACH Unaffected
37 ns
-
2.1V @ 15V, 7A
56 A
160µJ (on), 120µJ (off)
23 nC
26ns/130ns
Standard
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
400
HGTP7N60
1 (Unlimited)
480V, 7A, 50Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STF30NM60ND
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP, N-Channel 600 V 25A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: RCA1C04
Бренд: Harris
Описание: NPN POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: GF1B-E3/67A
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA, Diode Standard 100 V 1A Surface Mount DO-214BA (GF1)
Подробнее
Артикул: LHS-1-C
Бренд: Curtis Industries
Описание: CONTROL LIQ LEVEL 120VAC CHASSIS, Liquid Level Controller High/Low Level SPDT (1 Form C) 120VAC Chassis Mount
Подробнее
Артикул: 1N4743A
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 13 V 1W DO-41G, Zener Diode 13 V 1 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: SI6415DQ-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP, P-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее