г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HUF76629D3S Harris

Артикул
HUF76629D3S
Бренд
Harris
Описание
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA, N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Цена
121 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/HUF76629D3S.jpg
-
100 V
20A (Tc)
52mOhm @ 20A, 10V
3V @ 250µA
46 nC @ 10 V
1285 pF @ 25 V
MOSFET (Metal Oxide)
4.5V, 10V
±16V
N-Channel
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252, (D-Pak)
UltraFET™
Tube
Obsolete
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
1,800
2156-HUF76629D3S-HC,HARHARHUF76629D3S
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TIP2955G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 15A TO247, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 2.5MHz 90 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: A-19CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .296,L= .81,W= .020,
Подробнее
Артикул: IXGR60N60C2
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247, IGBT PT 600 V 75 A 250 W Through Hole ISOPLUS247™
Подробнее
Артикул: FCH043N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3, N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UD1-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 179W TO247, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BCW60D,235
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 250MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее