г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDD06E60BUMA1 Infineon Technologies

Артикул
IDD06E60BUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252, Diode Standard 600 V 14.7A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
164 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/IDD06E60BUMA1.jpg
IDD06E60,IDD06E60-ND,IDD06E60BUMA1TR,SP000077586
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard
600 V
70 ns
2 V @ 6 A
50 µA @ 600 V
-55°C ~ 175°C
14.7A (DC)
Surface Mount
2,500
-
Tape & Reel (TR)
Obsolete
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PG-TO252-3
3 (168 Hours)
REACH Unaffected
EAR99
8541.10.0080
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBRD1045
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 45V DPAK, Diode Schottky 45 V 10A Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: TIP126
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 5 A 4MHz 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FP40R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 2N6771
Бренд: Harris
Описание: NPN POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 1 A 50MHz 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: ART1K6PHZ
Бренд: Ampleon
Описание: ART1K6PH/OMP1230/TRAYDP, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 55 V 50 mA 1MHz ~ 450MHz 27.4dB 1600W OMP-1230-4G-1
Подробнее
Артикул: 2N5551,116
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 160V 0.3A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 300 mA 300MHz 630 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее