г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDP30E60XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDP30E60XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220, Diode Standard 600 V 52.3A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Цена
195 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/IDP30E60XKSA1.jpg
IFEINFIDP30E60XKSA1,SP000683032,IDP30E60-ND,IDP30E60,2156-IDP30E60XKSA1
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard
600 V
126 ns
2 V @ 30 A
50 µA @ 600 V
-55°C ~ 175°C
52.3A (DC)
Through Hole
500
8541.10.0080
-
Tube
Last Time Buy
TO-220-2
PG-TO220-2-2
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMUN2211LT3G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: 1225-25-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/2 RD X 3/4 X .252 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: IRGP4262DPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D, IGBT - 650 V 60 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAR6404E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: MUN2211T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59
Подробнее
Артикул: TIP122
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее