г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGN1011L1200 Integra Technologies

Артикул
IGN1011L1200
Бренд
Integra Technologies
Описание
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND, RF Mosfet HEMT 50 V 160 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 16.8dB 1250W PL84A1
Цена
157 451 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/IGN1011L1200.jpg
ROHS3 Compliant
PL84A1
180 V
16.8dB
-
-
1250W
HEMT
160 mA
PL84A1
1.03GHz ~ 1.09GHz
-
Tray
Active
IGN1011
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0075
2251-IGN1011L1200
5
50 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TIP106
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS PNP 80V 8A TO220, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MMSD701T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOD123, Diode Schottky 70 V 200mA (DC) Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: M3500-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: METRIC THUMB SCREWPLAIN STAINLES, M3.5x0.6 Knob Thumb Screw - Drive Stainless Steel
Подробнее
Артикул: 1497-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 7, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее
Артикул: 1157-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 5/16 RD X 3/8 X .166 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: MJ10001
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARL SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 20 A - 175 W Through Hole TO-3
Подробнее