г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGN1011L1200 Integra Technologies

Артикул
IGN1011L1200
Бренд
Integra Technologies
Описание
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND, RF Mosfet HEMT 50 V 160 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 16.8dB 1250W PL84A1
Цена
157 451 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/IGN1011L1200.jpg
ROHS3 Compliant
PL84A1
180 V
16.8dB
-
-
1250W
HEMT
160 mA
PL84A1
1.03GHz ~ 1.09GHz
-
Tray
Active
IGN1011
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0075
2251-IGN1011L1200
5
50 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CM300DY-24A
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 300A 1890W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 300 A 1890 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: B125C1500A
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: 1PH BRIDGE 19X10X3.5 250V 2.3A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 250 V Through Hole 4-SIP
Подробнее
Артикул: STW36N60M6
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247, N-Channel 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BZX55C3V0
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 3V 500MW DO35, Zener Diode 3 V 500 mW ±7% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: VUB72-12NOXT
Бренд: IXYS
Описание: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 75A V1A-PAK, Bridge Rectifier Three Phase (Braking) Standard 1.2 kV Chassis Mount V1A-PAK
Подробнее
Артикул: BZX84J-B6V2115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 68V 0.55W 2% UNIDIR, Zener Diode 6.2 V 550 mW ±2% Surface Mount SOD-323F
Подробнее