г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGN1011L1200 Integra Technologies

Артикул
IGN1011L1200
Бренд
Integra Technologies
Описание
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND, RF Mosfet HEMT 50 V 160 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 16.8dB 1250W PL84A1
Цена
157 451 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/IGN1011L1200.jpg
ROHS3 Compliant
PL84A1
180 V
16.8dB
-
-
1250W
HEMT
160 mA
PL84A1
1.03GHz ~ 1.09GHz
-
Tray
Active
IGN1011
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0075
2251-IGN1011L1200
5
50 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TIP33C
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS GENERAL PURPOSE TO-218, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 10 A 3MHz 80 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: KBP202G
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A KBP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole KBP
Подробнее
Артикул: TIP131
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: TO-120-060
Бренд: Bivar
Описание: SPACER SQUARE GEN PURP 0.060", Component Spacer General Purpose Square 0.060" (1.52mm) Natural
Подробнее
Артикул: 1122-2-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACER NYLON 1/8", Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: HSMP-3894-BLKG
Бренд: Broadcom Limited
Описание: RF DIODE PIN 100V SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 1 A SOT-23-3
Подробнее