г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGN1011L70 Integra Technologies

Артикул
IGN1011L70
Бренд
Integra Technologies
Описание
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
Цена
38 237 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/IGN1011L70.jpg
-
PL32A2
120 V
80W
22dB
GaN HEMT
22 mA
-
15
2251-IGN1011L70,EAR99
8541.29.0075
-
Bulk
Active
1.03GHz ~ 1.09GHz
PL32A2
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
50 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJF18004G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 450V 5A TO220FP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 5 A 13MHz 35 W Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: BZX55C20
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 20V 500MW DO35, Zener Diode 20 V 500 mW ±6% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1220-25-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: MBRF20100CTP
Бренд: Littelfuse
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Подробнее
Артикул: ST83003
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 400V 1.5A SOT32, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A - 40 W Through Hole SOT-32-3
Подробнее
Артикул: MCL-55-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 55MM ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее