г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGN1011L70 Integra Technologies

Артикул
IGN1011L70
Бренд
Integra Technologies
Описание
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
Цена
38 237 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/IGN1011L70.jpg
-
PL32A2
120 V
80W
22dB
GaN HEMT
22 mA
-
15
2251-IGN1011L70,EAR99
8541.29.0075
-
Bulk
Active
1.03GHz ~ 1.09GHz
PL32A2
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
50 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VJ248M
Бренд: Microsemi
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A VJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole VJ
Подробнее
Артикул: 1302-31-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.688" (42.86mm) -
Подробнее
Артикул: BC63916
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 1 W Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BS-2500
Бренд: Wakefield-Vette
Описание: ALVES ZERO BACKLASH U-JOINT,
Подробнее
Артикул: IPP60R125CPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3, N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: SZBZX84C8V2LT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT23-3, Zener Diode 8.2 V 225 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее