IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies
Артикул
IGT60R190D1SATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF, N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Цена
2 590 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IGT60R190D1SATMA1.jpg
IGT60R190D1SATMA1DKR,2156-IGT60R190D1SATMA1-448,SP001701702,IGT60R190D1SATMA1CT,IGT60R190D1SATMA1TR
GaNFET (Gallium Nitride)
55.5W (Tc)
N-Channel
600 V
12.5A (Tc)
-
1.6V @ 960µA
157 pF @ 400 V
-
-
IGT60R190
Surface Mount
2,000
CoolGaN™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerSFN
PG-HSOF-8-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
-10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут