IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул

IGW25N120H3FKSA1

Бренд

Infineon Technologies

Описание

IGW25N120H3 - 1200V, 25A IGBT DI, IGBT

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные

files/IGW25N120H3FKSA1.jpg

Bulk

Active

Vendor Undefined

REACH Unaffected

2156-IGW25N120H3FKSA1-448

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NVHL080N120SC1

Бренд: onsemi

Описание: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3, N-Channel 1200 V 44A (Tc) 348W (Tc) Through Hole TO-247-3

Артикул: BCX38C

Бренд: Diodes Incorporated

Описание: TRANS NPN DARL 60V 0.8A TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 800 mA - 1 W Through Hole TO-92

Артикул: BS-625

Бренд: Wakefield-Vette

Описание: ALVES ZERO BACKLASH U-JOINT,

Артикул: SL44-E3/57T

Бренд: VISHAY

Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 4A DO214AB, Diode Schottky 40 V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)

Артикул: SUM90P10-19L-E3

Бренд: VISHAY

Описание: MOSFET P-CH 100V 90A TO263, P-Channel 100 V 90A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D?Pak)

Артикул: 1N5230B

Бренд: onsemi

Описание: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35, Zener Diode 4.7 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35

Похожие товары