г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW25N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGW25N120H3 - 1200V, 25A IGBT DI, IGBT
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IGW25N120H3FKSA1.jpg
*
Bulk
Active
Vendor Undefined
REACH Unaffected
2156-IGW25N120H3FKSA1-448
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZV55-C20,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 20V 500MW LLDS,
Подробнее
Артикул: 1259-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.938" (23.83mm) 15/16" -
Подробнее
Артикул: FSF05A20
Бренд: KYOCERA AVX
Описание: DIODE FAST RECOVERY 200V 5A TO-2, Diode Standard 200 V 5A Through Hole TO-220-2 Full-Mold
Подробнее
Артикул: FQA18N50V2
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P, N-Channel 500 V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: 1566-B-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: TIP35B
Бренд: onsemi
Описание: GENERAL PURPOSE NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218
Подробнее