г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW40N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 266 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IGW40N120H3FKSA1.jpg
IGW40N120H3,IGW40N120H3-ND,SP000667510
600V, 40A, 12Ohm, 15V
483 W
Standard
1200 V
80 A
Trench Field Stop
160 A
2.4V @ 15V, 40A
3.16mJ
185 nC
IGW40N120
Through Hole
30
TrenchStop®
Tube
Active
-40°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3-1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30ns/290ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STF30NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP, N-Channel 600 V 25A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: HFA16PB120
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247AC, Diode Standard 1200 V 16A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: 1487-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: FDMS8025AS
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, Mosfet Array
Подробнее
Артикул: 1231-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/2, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.125" (28.58mm) 1 1/8" -
Подробнее
Артикул: RU 1BV
Бренд: Sanken
Описание: DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL, Diode Standard 800 V 250mA Through Hole -
Подробнее