г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW40N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 266 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IGW40N120H3FKSA1.jpg
IGW40N120H3,IGW40N120H3-ND,SP000667510
600V, 40A, 12Ohm, 15V
483 W
Standard
1200 V
80 A
Trench Field Stop
160 A
2.4V @ 15V, 40A
3.16mJ
185 nC
IGW40N120
Through Hole
30
TrenchStop®
Tube
Active
-40°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3-1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30ns/290ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBR750
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 7.5A,, Diode Schottky 50 V 7.5A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: 1PGSMA4744HR3G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 15V 1.25W DO214AC, Zener Diode 15 V 1.25 W ±5% Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: P27000H1
Бренд: Knick
Описание: SIGNAL CONDITIONER CURRENT VOLT,
Подробнее
Артикул: 1457-25-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: DTC143XUAT106
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Подробнее
Артикул: I-46CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .593,L= .81,W= .031,
Подробнее