IHW30N120R2 Infineon Technologies

Артикул

IHW30N120R2

Бренд

Infineon Technologies

Описание

IGBT 1200V 60A 390W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 60 A 390 W Through Hole PG-TO247-3-1

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные

files/IHW30N120R2.jpg

600V, 30A, 28Ohm, 15V

390 W

Standard

1200 V

60 A

NPT, Trench Field Stop

90 A

1.8V @ 15V, 30A

3.1mJ

198 nC

2156-IHW30N120R2-IT,IFEINFIHW30N120R2

Through Hole

240

TrenchStop®

Tube

Obsolete

-40°C ~ 175°C (TJ)

TO-247-3

PG-TO247-3-1

1 (Unlimited)

REACH Unaffected

EAR99

8541.29.0095

-/792ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STP5NK52ZD

Бренд: STMicroelectronics

Описание: MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220AB, N-Channel 520 V 4.4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220

Подробнее

Артикул: STW33N60DM2

Бренд: STMicroelectronics

Описание: MOSFET N-CH 600V 24A TO247, N-Channel 600 V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3

Подробнее

Артикул: 2SK1058-E

Бренд: Renesas

Описание: MOSFET N-CH 160V 7A TO3P, N-Channel 160 V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P

Подробнее

Артикул: BC857BQAZ

Бренд: NXP Semiconductors

Описание: NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 280 mW Surface Mount DFN1010D-3

Подробнее

Артикул: SS1/4-12

Бренд: Essentra Components

Описание: ROUND SPACER M6 PVC 1-1/2", Round Spacer Unthreaded M6 PVC 1.500" (38.10mm) 1 1/2" Gray

Подробнее

Артикул: RUM002N05T2L

Бренд: Rohm Semiconductor

Описание: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3, N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3

Подробнее

IHW30N120R2 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята