г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW30N135R3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IHW30N135R3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 60 A 349 W Through Hole PG-TO247-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IHW30N135R3FKSA1.jpg
600V, 30A, 10Ohm, 15V
349 W
Standard
1350 V
60 A
Trench
90 A
1.85V @ 15V, 30A
1.93mJ (off)
263 nC
SP000989496
Through Hole
240
TrenchStop®
Tube
Obsolete
-40°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
-/337ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SI4800BDY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO, N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: MUR1510
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 15A TO220-2, Diode Standard 100 V 15A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: ST30100
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC, Diode Schottky 100 V - Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: 7206-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN BRASS5/16HD X 1, 1/4"-20 Knob Thumb Screw - Drive Brass
Подробнее
Артикул: IXTP60N20T
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB, N-Channel 200 V 60A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MS2228
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M214, RF Transistor NPN 65V 5.4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 175W Chassis Mount M214
Подробнее