г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW25N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 202 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IKW25N120H3FKSA1.jpg
IKW25N120H3,IKW25N120H3-ND,SP000674418
600V, 25A, 23Ohm, 15V
326 W
Standard
1200 V
50 A
Trench Field Stop
100 A
2.4V @ 15V, 25A
2.65mJ
115 nC
27ns/277ns
IKW25N120
Through Hole
TrenchStop®
Tube
Active
-40°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3-1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30
290 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMSZ5236B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123, Zener Diode 7.5 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: RB168MM100TFTR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: RB168MM100TF IS THE HIGH RELIABI, Diode Schottky 100 V 1A Surface Mount PMDU
Подробнее
Артикул: FCPF11N60F
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F, N-Channel 600 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: MRF134
Бренд: MACOM
Описание: FET RF 65V 400MHZ 211-07, RF Mosfet N-Channel 28 V 50 mA 400MHz 10.6dB ~ 14dB 5W 211-07, Style 2
Подробнее
Артикул: 1402-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/8 HEX X 3, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: IXFH100N30X3
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 300V 100A TO247, N-Channel 300 V 100A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Подробнее