г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW25N120T2FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, IGBT Trench 1200 V 50 A 349 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 202 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IKW25N120T2FKSA1.jpg
INFINFIKW25N120T2FKSA1,IKW25N120T2,IKW25N120T2-ND,2156-IKW25N120T2FKSA1,SP000244960
600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
349 W
Standard
1200 V
50 A
Trench
100 A
2.2V @ 15V, 25A
2.9mJ
120 nC
27ns/265ns
IKW25N120
Through Hole
TrenchStop®
Tube
Active
-40°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3-1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30
195 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDP52N20
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3, N-Channel 200 V 52A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BD241C
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 100V 3A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A - 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: STP18NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB, N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: DTA143XMT2L
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Подробнее
Артикул: 1278-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 3_4-ROUND_SPACER, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: 1316-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее