г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKY75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKY75N120CH3XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 150A TO247-4, IGBT - 1200 V 150 A 938 W Through Hole PG-TO247-4
Цена
2 954 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IKY75N120CH3XKSA1.jpg
2156-IKY75N120CH3XKSA1,IFEINFIKY75N120CH3XKSA1,SP001465128
600V, 75A, 6Ohm, 15V
938 W
Standard
1200 V
150 A
-
300 A
2.35V @ 15V, 75A
3.4mJ (on), 2.9mJ (off)
370 nC
38ns/303ns
IKY75N120
Through Hole
-
Tube
Active
-40°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-4
PG-TO247-4
ROHS3 Compliant
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
30
292 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAT54T1
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY DET/SW 30V SOD123, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: SS9014CBU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: 100MA, 45V, NPN, SI, SMALL SIGNA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 270MHz 450 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: SGP07N120XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: MUR460
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD, Diode Standard 600 V 4A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: IRFP21N60L
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3, N-Channel 600 V 21A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 0270-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS9/16HD X, 1/4"-28 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее