IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies
Артикул
IMBG120R045M1HXTMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263, N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Цена
3 286 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IMBG120R045M1HXTMA1.jpg
PG-TO263-7-12
227W (Tc)
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1200 V
47A (Tc)
63mOhm @ 16A, 18V
5.7V @ 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V, -15V
1527 pF @ 800 V
IMBG120
1,000
CoolSiC™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-8, D?Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP005349829,448-IMBG120R045M1HXTMA1CT,448-IMBG120R045M1HXTMA1DKR,448-IMBG120R045M1HXTMA1TR
Standard
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут