г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IMD2AT108 Rohm Semiconductor

Артикул
IMD2AT108
Бренд
Rohm Semiconductor
Описание
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Цена
81 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
files/IMD2AT108.jpg
Surface Mount
300mW
50V
100mA
500nA
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
300mV @ 500µA, 10mA
56 @ 5mA, 5V
250MHz
22kOhms
3,000
IMD2AT108DKR,IMD2AT108TR,IMD2AT108-ND,IMD2AT108CT
8541.21.0095
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
SC-74, SOT-457
SMT6
IMD2AT108
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
22kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1172-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/1, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.313" (33.35mm) 1 5/16" -
Подробнее
Артикул: 2001-1032-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND STANDOFFNO FINISH - NYLON5, Round Standoff Threaded #10-32 Nylon 7.250" (184.15mm) 7 1/4" -
Подробнее
Артикул: TIP110
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS NPN DARL 60VMA TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 25MHz Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDMC8321L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33, N-Channel 40 V 22A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount Power33
Подробнее
Артикул: CSD19505KCS
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3, N-Channel 80 V 150A (Ta) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: ECH8661-TL-H
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8, Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Подробнее