г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IMW120R045M1XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Цена
3 493 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IMW120R045M1XKSA1.jpg
SiCFET (Silicon Carbide)
228W (Tc)
N-Channel
1200 V
52A (Tc)
59mOhm @ 20A, 15V
5.7V @ 10mA
52 nC @ 15 V
1900 pF @ 800 V
-
15V
SP001346254
IMW120
Through Hole
CoolSiC™
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3-41
ROHS3 Compliant
Not Applicable
EAR99
8541.29.0095
30
+20V, -10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: 0206-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS9/16HD X, #12-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: TSB1000
Бренд: TE Connectivity
Описание: TSB1000,
Подробнее
Артикул: DTA124ESATP
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 30 mA 250 MHz 300 mW Through Hole SPT
Подробнее
Артикул: FDS6680S
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC, N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IPB039N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7, N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее