г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IMW120R045M1XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Цена
3 493 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IMW120R045M1XKSA1.jpg
SiCFET (Silicon Carbide)
228W (Tc)
N-Channel
1200 V
52A (Tc)
59mOhm @ 20A, 15V
5.7V @ 10mA
52 nC @ 15 V
1900 pF @ 800 V
-
15V
SP001346254
IMW120
Through Hole
CoolSiC™
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3-41
ROHS3 Compliant
Not Applicable
EAR99
8541.29.0095
30
+20V, -10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMBT4401-ON
Бренд: onsemi
Описание: 0.6A, 40V, NPN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N4001-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: 2N6340
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 140V 25A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 25 A 40MHz 200 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N5366
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 40V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: DSEC60-06A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247AD, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 30A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: I-67CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .219,L= .31,W= .025,
Подробнее