г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IMW120R060M1HXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Цена
2 463 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IMW120R060M1HXKSA1.jpg
SiCFET (Silicon Carbide)
150W (Tc)
N-Channel
1200 V
36A (Tc)
78mOhm @ 13A, 18V
5.7V @ 5.6mA
31 nC @ 18 V
1060 pF @ 800 V
-
15V, 18V
SP001808368
IMW120
Through Hole
CoolSiC™
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3-41
ROHS3 Compliant
Not Applicable
EAR99
8541.29.0095
30
+23V, -7V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TIP151
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI-HIV DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2SC3851
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT ITO-220AB 60V 4000MA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 15MHz 25 W Through Hole ITO-220F
Подробнее
Артикул: BZX55C4V3
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35, Zener Diode 4.3 V 500 mW ±7% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MRF6S18100NBR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 68V 1.99GHZ TO2724, RF Mosfet LDMOS 28 V 900 mA 1.99GHz 14.5dB 100W TO-272 WB-4
Подробнее
Артикул: SP5-KIT
Бренд: Panasonic
Описание: CAP KIT ALUM POLY 39-560UF 210PC, Aluminum (Polymer) Capacitor Kit 39µF ~ 560µF 2 ~ 10V Surface Mount 210 Pieces (14 Values - 15 Each)
Подробнее
Артикул: AS4PD-M3/86A
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A, Diode Avalanche 200 V 2.4A (DC) Surface Mount TO-277A (SMPC)
Подробнее