IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies
Артикул
IMW120R350M1HXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3, N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Цена
1 418 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IMW120R350M1HXKSA1.jpg
SiCFET (Silicon Carbide)
60W (Tc)
N-Channel
1200 V
4.7A (Tc)
455mOhm @ 2A, 18V
5.7V @ 1mA
5.3 nC @ 18 V
182 pF @ 800 V
-
15V, 18V
SP001808376,2156-IMW120R350M1HXKSA1-448
IMW120
Through Hole
CoolSiC™
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
PG-TO247-3-41
ROHS3 Compliant
Not Applicable
EAR99
8541.29.0095
30
+23V, -7V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут